微结构制备中选择性多孔硅牺牲层技术的研究

摘要：

利用多孔硅形成的选择性,在指定的硅衬底区域制作多孔硅作牺牲层.提出了先制作微结构,后进行阳极氧化,形成多孔硅牺牲层的工艺,由此制备出了良好的悬空结构,并对多孔硅形成的选择性、掩模材料和工艺条件进行了研究.

关键词：MEMS、注入、多孔硅、牺牲层

分类号：TN304.05(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G1999033108;面向21世纪教育振兴行动计划985计划199925001

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：48-52