等离子体横向刻蚀硅的特性研究

摘要：

研究了用SiO2+Al作掩模,SF6+O2混合气体等离子体对Si的横向刻蚀,其结果表明,在SF6+O2等离子体气氛中,Al是很好的保护膜,可以在待悬浮器件下形成大的开孔.因此,预计用这种技术,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米,具有优良高频性能的MEMS RF/MW无源器件,如开关、传输线、电感和电容等.

关键词：MEMSRF/WM无源器件、SiO2+Al掩模、等离子体横向刻蚀

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：上海市科委资助项目;国家自然科学基金69876012;高等学校博士学科点专项科研项目;国家重点基础研究发展计划973计划G1999033105

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-40,52