Ge-SiO2薄膜的XPS研究

摘要：

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行300℃到1000℃的退火处理30分钟,对样品进行XPS分析,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据.结合XRD谱图分析结果可发现,退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用.随着退火温度的升高,样品中的Si向高价态转化,Ge则向低价态转化;GeO含量在800℃退火样品中为最大,高于800℃退火样品中急剧减少.

关键词：Ge-SiO2薄膜、溅射、XPS谱、退火

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69876043

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-39