电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

摘要：

I线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50～100μC/cm2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟.其灵敏度比PMMA快5倍,分辨率为0.5μm.采用两种方法制备CaAs PHEMT:一种用I线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAsPHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT.

关键词：电子束曝光、混合与匹配

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：13-17