常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较

摘要：

用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜.测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值.实验结果表明,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜,介电性能比较理想.两种薄膜的介电常数基本相同,损耗角正切值在105Hz处都有弛豫极大值,表明在该频率范围内,主要为弛豫损耗机制.电导率和损耗的大小可能与晶界处缺陷和非金刚石相的多少有关.

关键词：金刚石薄膜、纳米金刚石薄膜、介电性能

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：教育部重点实验室基金

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：50-55