电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟
经过严格论证,提出一种计算简便,易于软件实现的电子束束斑直径定义方法,在此基础上运用Monte Carlo方法对高斯分布电子束斑进行模拟,给出模拟电子数分别为5000、20000、50000、100000时的模拟结果.
电子束曝光、Monte Carlo方法、电子束束斑、高斯分布
TN305@7(半导体技术)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
60-63
电子束曝光、Monte Carlo方法、电子束束斑、高斯分布
TN305@7(半导体技术)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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