重金属杂质对SIMOX片的沾污研究

摘要：

对国内外几种SIMOX硅薄膜样品进行位错密度测量,再用紫外光致荧光法(UVF)对其在集成电路工艺流片前后的Fe、Cu、Ni、Mo等重离子沾污作对比测定,结合SIMOX/MOS管的漏电特性,作了简要的机理分析.结果表明,重离子沾污不但在形成SIMOX结构时产生,在集成电路工艺流片过程中也会发生,并明显影响MOSFET的性能.重金属杂质的沾污程度与SIMOX材料的位错密度密切相关,位错密度可能是沾污重金属原子的吸收中心.要降低重金属杂质的沾污首先必须降低SIMOX材料的位错密度.

关键词：SIMOX SOI材料、杂质沾污、位错密度

分类号：TB383;O77+5;O77+2(工程材料学)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：35-40