MEMS单片集成新方法及关键技术的研究

摘要：

提出一种与标准IC工艺兼容的MEMS单片集成新方法-后微机械技术,研究了与之相关的关键技术,PECVD淀积SiC保护电路技术及多孔硅牲层技术,并进行了多孔硅牺牲层技术的实验研究,取得了满意的结果.

关键词：MEMS、PECVD SC、多孔硅、牺牲层、单片集成

分类号：TN305;TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G1999033108;清华大学校科研和教改项目199925001

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：9-13