接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析

摘要：

根据菲涅尔-基尔霍夫衍射公式,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布,并在几种条件下进行了模拟数值计算,分析了斜照技术的实用条件及改善光刻分辨率的效果和应用前景.

关键词：接近式光刻、准分子激光光刻、分辨率改善、斜照明

分类号：TN305@7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69878029

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：9-14,60