低电子亲和势内场发射阴极

摘要：

平面阴极的场致发射显示器件由于性能优越、结构简单而具有很好的应用前景。这种器件要实用化，急需提高阴极的电子发射率。提出一种改进栅极结构的方法达到提高电子发射率的目的；介绍了双金属栅极的结构和制作工艺；阐述了利用两种金属的接触电位差降低阴极电子发射势垒的原理；解释了实验中低驱动电压时发射率提高较的现象。与单金属栅极相比双金属栅极的阴极电子发射率提高了5倍以上。

关键词：场发射、双金属栅极、电子发射率

所属期刊栏目：1

分类号：TN141(真空电子技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-40