强流金属离子注入
金属等离子体浸没注入(MEPIII)技术与金属蒸气真空弧(MEVVA)源注入技术有相同之处,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅,RBS方法分析注入层,并对两种注入技术予以比较。
金属离子注入、MEVVA、MEPIII
1
TN305.3(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划863-715-008-0040
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
22-25
金属离子注入、MEVVA、MEPIII
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TN305.3(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划863-715-008-0040
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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