硅基铁电薄膜的制备与电性能研究

摘要：

用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法制备了有PbTio3(PT)过渡层的硅基Pb(zr0.53Ti0.47)(O3(PZT)铁电薄膜,顶电极和底电极分别为溅射的金属钛铂层和低阻硅.在低温退火条件下得到了晶化很完善的铁电薄膜.测试结果表明有PT过渡层的铁电薄膜具有良好的铁电和介电性能.

关键词：铁电薄膜、PZT、PT、Sol-Gel法

分类号：TN43;TM22+1(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院资助项目69806007

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-39