C-H体系CVD金刚石薄膜

摘要：

化学气相淀积金刚石薄膜过程中,CH3和C2H2是金刚石生长的主要前驱基团.C2H2与CH3浓度比([C2H2]/[CH3])的变化将影响金刚石薄膜的生长取向.用非平衡热力学耦合模型计算了CH体系CVD金刚石薄膜生长过程中C2H2浓度和CH3浓度随淀积条件的变化,并进一步获得了[C2H2]/[CH3]随衬底温度和CH4浓度的变化关系,从理论上探讨了金刚石薄膜(111)面和(100)面取向生长与淀积条件的关系.在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中,[C2H2]/[CH3]逐渐升高,导致金刚石薄膜的形貌从(111)晶面转为(100)晶面.

关键词：化学气相淀积、金刚石薄膜、热力学

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-715-010-0050;国家自然科学基金59772029;教育部专项基金

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：75-78,74