低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究

摘要：

以四异丙醇钛为原料,氧气作反应气体,高纯氮气作载气,采用低压MOCVD在单晶Si基片上制备出了TiO2薄膜.研究了基片温度和氧气流量对TiO2薄膜沉积速率的影响,以及基片温度和退火温度对TiO2薄膜的结构的影响.采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2薄膜的结构进行分析.实验表明:基片温度在110℃～250℃时制备的TiO2薄膜是非晶态的,在350℃～500℃时制备的TiO2薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结构,当基片温度超过600℃时开始生成金红石.

关键词：MOCVD、二氧化钛、薄膜、制备、结构特性

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：63-69,62