O2反应离子深刻蚀PMMA

摘要：

高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一.利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形,方法简单:它不象LIGA技术那样,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板,对光刘胶的要求也不是特别高,利用这种技术深刘蚀PMMA膜,以Ni作掩模,采用普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀的方法将Ni掩模图形化,然后利用O2RIE技术刻蚀PMMA,可以得到深度达100μm,深宽比大于10的微结构,图形表面平整,侧壁光滑垂直.在刘蚀过程中,氧气压、刻蚀功率等工艺参数对刻蚀结果影响较大.

关键词：反应离子刻蚀、高深宽比、微结构PMMA

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：39-43,34