金刚石薄膜的反应离子刻蚀

摘要：

反应离子刻蚀是金刚石薄膜图形化的一种有效方法.研究了用O2及与Ar的混合气体进行金刚石薄膜图形化刻蚀的主要工艺参数(射频功率、工作气压、气体流量、反应气体成分与比例等)对刘蚀速率和刻蚀界面形貌的影响,兼顾刻蚀速率和刻蚀面平滑程度等关键因素,建立了金刚石薄膜刻蚀的优化工艺参数,达到了较满意的图形效果.

关键词：反应离子刻蚀、金刚石薄膜、刻蚀速率

分类号：TN304.055;TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金59985007

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：23-28