分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究

摘要：

提出了一种新型的分布串联横向电阻Spindt型FEA的制作工艺.通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及FEA电阻层.利用磁增强反应离子刻蚀设备,刻蚀出Mo薄膜电极图案和直径1μm,深度1μm的SiO2绝缘层圆孔.利用电子束双源蒸发设备,蒸发Al和Mo薄膜,得到Mo的微尖阵列,制成了分布串联横向电阻Spindt型FEA.最后得到了常规条件下可测量的场发射.

关键词：Spindt型FEA、横向电阻层、光刻、电子束蒸发

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：13-18