半导体金刚石膜的磁阻效应

摘要：

研究了在硅上P型异质外延金刚石膜的磁阻效应.实验结果表明金刚石膜有显著的磁阻反应,并与磁阻器件的结构有关.在室温下圆盘形结构的磁阻相对变化在5T磁场下约为0.85,而长条形结构只有0.40.

关键词：金刚石薄膜、磁阻效应、CVD

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：75-78