面向5G毫米波通信的砷化镓低噪声放大器设计

摘要：

基于0.15μm的砷化镓(GaAs)pHEMT工艺设计了一款毫米波低噪声放大器MMIC芯片.该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构.测试结果显示,工作频率范围覆盖26～30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)频段,噪声系数在2.4～3.0 dB的水平,小信号增益在23～26 dB.

关键词：低噪声放大器;砷化镓(GaAs);毫米波

所属期刊栏目：18

在线出版日期：2021-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：3-4