Validation Study of LPDDR2 SDRAM Based on TD-LTE Baseband chip

机标关键词：intellectual property right、high capacity、information security、integrated circuit、carry out、power dissipation、design process、used in

分类号：TP3;G35

资助基金：Source of the Topic:National Science and Technology Major Project of Ministry of Industry and Information Technology in 20112011ZX03003-003-02。

在线出版日期：2014-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：128-134