掺铈宽禁带ZnO薄膜的光学特性研究

摘要：

采用射频磁控溅射镀膜技术制备样品,利用XRD和PL光谱技术对Ce掺杂ZnO材料的光学特性进行研究,分析稀土元素掺杂对ZnO晶体能带结构的影响.发现Ce掺杂使ZnO的晶格结构发生变化,随着掺杂量的增加,ZnO的发光强度增大;溅射源O2的流量也会影响Ce掺杂ZnO对光的吸收和发光强度.

关键词：宽禁带半导体、掺杂、吸收光谱、发光光谱

所属期刊栏目：35

分类号：O432(光学)

资助基金：陕西省教育厅科研计划项目:碳纳米管的制备及其场发射性能的研究;渭南师范学院教育科学研究项目:师范专业认证背景下物理文化在中学物理教学中的渗透研究

在线出版日期：2021-01-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：82-86