用于AR显示技术的亚波长Al光栅的ICP刻蚀工艺研究

摘要：

铝材料因其良好的光反射率和低热线性膨胀系数,被广泛应用在增强现实设备的光栅光波导中.采用ULVAC公司生产的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备NE-550对Al材料进行了干法刻蚀工艺的研究.实验中采用SiO2作为刻蚀掩膜,Cl2/BCl3气体作为工艺气体,通过对实验工艺参数的调整,探究了ICP 源功率、射频偏压功率、腔体压强以及气体流量对Al的刻蚀速率、与上层掩膜的选择比的影响.最后通过优化工艺参数,得到了底部平整、侧壁垂直的栅槽结构.此研究为亚波长尺度的光栅刻蚀工艺的优化和技术突破提供了参考.

关键词：电感耦合等离子体刻蚀、亚波长光栅、金属铝、硅基液晶、增强现实

所属期刊栏目：6

分类号：TN205(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2024-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：59-64