超薄型高容量刻蚀箔钽阳极电容器的制备

摘要：

埋入式电容技术在缩小设备体积、降低功耗和提升性能上具有巨大优势.然而,目前商用的电容器的电容密度小、厚度大、成本高或无法与印刷电路板制造相兼容,为了解决这个问题,提出了一种超薄型高容量刻蚀箔钽阳极电容器的制备工艺,以脉冲直流为电流源对钽箔进行电化学刻蚀,大幅提升了钽箔的比表面积,在 10 V电压下阳极氧化后的比容可达 550 nF/mm2.同时,以刻蚀钽箔为基底制备了高质量的钽阳极氧化膜,所形成的化成箔在 9 V电压下的漏电流密度仅为 24 nA/cm2.固态聚合物阴极由固态钽电容器在PEDOT:PSS的水分散液中浸渍多次而形成,所制备的固态钽电解电容器厚度不足 50 μm,且表现出优良的频率特性.其等效串联电阻(100 kHz)低至 19.2 mΩ,约为日本松下聚合物钽电容器的 1/5,在 1～100 kHz频率范围内的电容量保持率可达 75.5%,与日本松下聚合物钽电容器相比提升 55%以上.基于电化学刻蚀的箔式钽电解电容器将进一步推动钽电解电容器的小型化和轻薄化发展,并为埋入式电容技术开辟新的思路.

关键词：埋入式电容器、钽电解电容器、电化学刻蚀、超薄、高比容

所属期刊栏目：6

分类号：TN605(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学基金62374132

在线出版日期：2024-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：52-58