基于自建测试平台的GaN基HEMT器件陷阱表征

摘要：

陷阱效应是影响GaN基HEMT器件性能的主要因素之一.为了提高陷阱表征的精度和时间分辨率,采用瞬态电压法并搭建了专用的测试平台对陷阱进行表征,抑制了电压漂移现象,将时间分辨率从毫秒级提升至微秒级,扩大了陷阱的表征范围,同时基于贝叶斯反卷积算法提取陷阱的时间常数等信息.基于这种方法研究了GaN基HEMT中陷阱在不同电压和温度下的捕获行为,表征其时间常数和激活能等信息.实验结果表明,该器件中存在4 种不同类型的陷阱,除了先前已经在B1505上证明的激活能分别为0.058、0.041 eV的陷阱DP2 和DP3,本文还发现了位于微秒级的新陷阱DP1,激活能为0.063 eV.本文通过搭建测试平台填补了微秒级陷阱表征的空缺,为陷阱的准确、快速表征提供了极大便利.

关键词：GaN基HEMT、陷阱表征、瞬态电压法、时间常数谱、贝叶斯迭代、自建测试平台

所属期刊栏目：6

分类号：TM712(输配电工程、电力网及电力系统)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;北京市自然科学基金资助项目

在线出版日期：2024-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：38-45