无线供能的植入式脑电刺激芯片关键技术研究进展

摘要：

植入式脑电刺激技术以特异的解剖学定位点为靶点刺激病灶,在达到良好治疗效果的同时避免了药物治疗带来的全身性不良反应,被广泛应用于重大脑疾病的干预治疗中.传统采用一次性电池供能的植入式脑电刺激方案受电池体积限制,需要采用长导线来传递电刺激信号,然而这种方式增加了感染和并发症发生的风险.基于近场谐振式电感能量传输(near-field resonant inductive power transfer,NFR-IPT)的植入式脑电刺激技术可以避免植入一次性电池和长电极引线,易于实现植入设备的全集成,因此受到国内外学者的关注,其高集成度、高效率、高可靠性成为该领域未来发展的主要方向.本文首先讨论了基于 NFR-IPT的植入式脑电刺激技术的优势、系统结构和工作原理,然后重点分析了脑电刺激芯片所面临的挑战和其近年来关键技术的研究进展.最后,本文总结了现有技术中所存在的问题,并探讨了基于 NFR-IPT 的植入式脑电刺激技术未来可能的发展方向.

关键词：植入式脑电刺激、近场谐振式电感能量传输、脑电刺激芯片、双极-电流控制型电刺激

所属期刊栏目：4

分类号：TM712(输配电工程、电力网及电力系统)

在线出版日期：2023-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共15页

页码：31-45