InGaN量子点红光Micro-LED研究

摘要：

微型发光二极管被认为是下一代显示技术,但到目前为止,主流AlGaInP红光器件的微型化仍然存在瓶颈.In-GaN量子点技术由于其独特的自组装生长机制,拥有较好的晶体质量、较高的In组分并入效率,对刻蚀损伤的耐受能力也更强,是提升红光微型发光二极管性能的极具潜力的技术路线.通过使用渐变组分超晶格与掺杂蓝光量子阱的复合结构作为预应变层,拓展了InGaN量子点样品的发光波长,获得了芯片尺寸20～100 μm的微型发光二极管器件,其峰值波长和外量子效率随电流密度的变化跟尺寸的依赖关系不明显.40～100 μm的微型发光二极管在＜1 A/cm2的小注入电流密度下发光峰值波长在610～650 nm,验证了量子点技术作为红光微型发光二极管潜在技术路线的优势.

关键词：量子点、预应变层、量子阱、超晶格、氮化镓、铟镓氮、MOCVD

所属期刊栏目：3

分类号：TN314+.3(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国博士后科学基金;中国博士后科学基金

在线出版日期：2022-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：106-110