高亮度Micro-LED外延和芯片制备

摘要：

微米LED(Micro-LED)是指尺寸在50 μm以下,去除外延衬底的LED,相比目前的LCD,OLED显示具有高亮度、高分辨率,低能耗等优势.本文首先介绍了Micro-LED外延和芯片制备中存在的主要问题.接着使用ABC模型以及载流子泄露模型分析了小电流密度下的Micro-LED外量子效率低的原因,给出了目前国际上解决这一问题的主要技术途径.在Micro-LED外延技术上重点介绍了NPSS外延Micro-LED的优势以及目前NPSS的制备、外延GaN的进展情况.在芯片制备上,则介绍了Micro-LED微纳出光结构,多芯片的高色域混光技术,AlInGaP红光,氮化物红光以及量子点激发的红光路线.最后讨论了Micro-LED外延和芯片当前的现状和未来的发展趋势.

关键词：微米LED、显示、外延、芯片、外量子效率、注入电流密度、红光LED

所属期刊栏目：3

分类号：TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划;广东省基础与应用基础研究基金项目

在线出版日期：2022-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共15页

页码：8-22