CVD外延锗锡及其光电探测器最新研究进展

摘要：

锗锡具有吸收系数高、直接带隙发光效率高、可用CVD生长、器件制备与硅工艺兼容等优势,是非常重要的硅基光电子材料.锗锡CVD生长技术及其探测器在理论意义和长远的军民用价值,受到欧美军事部门及政府机构的广泛资助.综述了锗锡CVD生长技术的研究历史、生长难点与发展趋势.基于CVD技术生长的锗锡,并结合锗锡探测器的发展史,探讨了高性能锗锡探测器在短波红外(SWIR)、中波红外(MWIR)和长波红外(LWIR)波段应用所面临的关键科学问题,强调了锗锡单光子雪崩光电二极管(SPAD)的优势及其在量子计算、激光雷达和无人驾驶等领域的应用前景.

关键词：锗锡、CVD、探测器、硅工艺兼容

所属期刊栏目：3

分类号：TN25(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;广东省科技计划项目

在线出版日期：2022-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：129-135