低功耗自旋电子器件技术路线及展望

摘要：

在大数据时代,传统冯·诺依曼架构在面对海量数据时出现了存储和功耗瓶颈.随着非易失存储器的快速发展,高写入速度、低功耗的磁随机存储器(MRAM)为"存算一体"架构的实现带来了新的曙光.系统地提出了自旋电子器件及其电路结构的技术发展路线,首先介绍已经商业化的Toggle型磁随机存储器(Toggle-MRAM)和自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本结构和关键技术;然后介绍自旋轨道矩磁随机存储器(SOT-MRAM)关于无外磁场辅助翻转的重要技术突破;最后总结基于磁隧道结以及新型自旋电子器件的"存算一体"架构和相关应用,并对低功耗计算做出展望.

关键词：磁随机存储器、自旋转移矩、自旋轨道矩、存算一体

所属期刊栏目：3

分类号：TP211(自动化技术及设备)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共25页

页码：104-128