基于Monte Carlo方法的PECVD模拟研究

摘要：

等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)是高端集成电路制造中的关键工艺.通过对PECVD工艺及建模方法研究,提出了基于蒙特卡罗(MC)方法的PECVD二维模型.该模型将薄膜沉积速率计算和轮廓形貌演化集合一体,并且深入研究了粒子和沟槽结构的相对大小以及粒子之间不同的接触方式对模型仿真能力的影响,使得仿真结果更加接近实际工艺条件下的生长形貌.通过该模型模拟了不同深宽比(aspectr atio)沟槽的PECVD沉积情况,得到了符合实验数据的结果;并通过设定不同比例的离子增强部分进行对比,发现LPCVD的台阶覆盖性优于PECVD.

关键词：蒙特卡罗方法、等离子体增强化学气相沉积、淀积模拟、分布函数、深宽比

所属期刊栏目：3

分类号：TN305.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61874002

在线出版日期：2022-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：75-81