后摩尔时代先进CMOS技术

摘要：

随着半导体器件从平面结构走向3D结构,集成电路技术进入"后摩尔时代".论述了目前集成电路技术的需求和集成电路产业的研发现状,梳理了在先进技术节点下的绝缘层上硅、鳍型场效应晶体管和环栅场效应晶体管等新型器件的优势、研究现状及不足之处,分析了随着器件尺寸的减小,工艺技术的发展和其面临的挑战,为后摩尔时代集成电路技术的持续发展提供新的视野和观点.

关键词：集成电路、绝缘层上硅、鳍型场效应晶体管、环栅场效应晶体管、工艺技术

所属期刊栏目：3

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;之江实验室重大项目;浙江省自然科学基金

在线出版日期：2022-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：32-40