基于量子点对阻变存储器性能提升的研究进展
由于传统的半导体集成电路受工艺和物理尺寸的限制,因此进一步提高它的性能变得愈加困难.与此同时,阻变存储器(RRAM)由于其结构简单、编程/擦除速度快、功耗低等优点逐渐进入人们的视野.目前,基于Ag、Cu为电极的忆阻器,研究者们认为其阻变机制是其功能层中导电细丝(CFs)的形成和破裂.然而,由于导电细丝是随机形成的,从而使得器件的开关电压参数存在一定的弥散性,因此目前忆阻器还无法代替当今传统的非易失性存储器.为了优化其开关参数的均一性,研究者提出在介质中加入金属纳米团簇的方法来限制导电细丝的位置,降低CFs形成的随机性,但由于金属纳米团簇存在颗粒尺寸不均匀、无法制备更小的纳米团簇等弊端,从而迫使研究者探索新的方法来克服金属纳米团簇的弊端并解决器件开关的弥散性.总结了使用非金属量子点掺杂的方法克服这一技术障碍,掺杂的量子点特性类似金属量子点,不仅在器件中起到局域化电场的作用,同时有效地引导导电细丝的生长方向,提高开关参数的均匀性、降低阈值电压,增强器件的保持性能,实现良好的神经突触仿生特性,而且非金属量子点可以实现更加均匀、尺寸更小、排列更加整齐.这为提高阻变存储器的性能提供了的新方法,也为器件的小型化发展提供了新思路,促进了人工神经网络的发展.
阻变存储器、掺杂、量子点、导电细丝
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TN601(电子元件、组件)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;河北省优秀青年项目;河北大学优秀青年培养项目;海外留学人员择优资助项目;河北省杰出青年计划;河北省优秀青年人才支持计划;河北大学高层次创新人才培养与引进;河北省百人计划;河北省百人计划;河北省高校百名优秀创新人才支持计划;河北大学研究生创新资助项目
2022-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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