三维神经网络中Nb2O5-x突触器件的脉冲操作模式优化研究

摘要：

主要研究了基于氮化钛(TiN)/氧化铌(Nb2O5-x)/铂(Pt)的三维结构阻变存储器(RRAM)的突触器件在神经形态系统中表现出的多级存储单元(MLC)特性.通过不同的编程方案改变导电细丝(CF)的尺寸,使电导的变化接近线性.研究结果表明,通过优化脉冲方案得到更接近线性变化的电导,进而可以提高神经形态系统中的识别精度.

关键词：3D RRAM、多级存储单元(MLC)、神经形态系统

所属期刊栏目：1

分类号：TP301.6(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家科技重大专项2017ZX02301007-001

在线出版日期：2022-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-75