忆阻器类脑芯片与人工智能

摘要：

现阶段计算与存储分离的"冯·诺依曼"体系在功耗和速率方面已经不能满足人工智能、物联网等新技术的发展需求,存算一体化的类脑计算方案有望解决这一问题,迅速成为研究热点.忆阻器是一种新型微电子基础器件,其电阻可通过外场连续调节且具有非易失性、小尺寸、低能耗、高速和CMOS兼容等优良特性,被认为是快速实现存算一体化计算最具潜力的类突触器件.与此同时,光电子器件和神经元遵从动力学数学同构性,借助这种同构性可用光电子器件模拟神经元行为并实现类脑计算,基于光子器件的类脑芯片正在往更高集成度、更低功耗、更高性能方向发展,其将会在类脑计算领域发挥越来越重要的作用.介绍忆阻器材料和器件方面的研究进展,具体包括石墨烯材料低温生长,小尺寸钙钛矿忆阻器件、Parylene忆阻器件、WTiOx忆阻器件以及光子集成类突触器件及芯片等方面研究,并讨论忆阻器在类脑芯片和人工智能领域的应用前景.

关键词：忆阻器、光电子器件、类脑芯片、人工智能

所属期刊栏目：1

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：国家重点研发计划2018YFA0209004

在线出版日期：2022-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：58-70