锗硅APD探测器进展

摘要：

通过在8英寸硅衬底上直接生长锗硅单晶材料的方法,可以制作高性能的光电探测器,该类探测器已经成功实现了商业化.报道了基于CMOS制造工艺,并成功应用于光通信领域中的10 G/25 G锗硅APD探测器,探测器的带宽、灵敏度等性能在850 nm和1310 nm等波段完全超越了传统的Ⅲ-Ⅴ族材料系探测器,器件的可靠性也完全符合光通信行业标准GR-468等对有源器件的要求.该系列PD/APD探测器已经逐步实现了量产,并累计实现出货超过两百万颗.

关键词：锗硅APD探测器、锗硅PD探测器、量产

所属期刊栏目：1

分类号：TN25(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2022-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：68-74