瞬态时间常数谱值化分析技术及在GaN基HEMT中的应用

摘要：

GaN HEMT作为功率、射频器件,是5G通信中核心关键器件.然而,目前其应用可靠性方面仍受到陷阱效应和自热效应的制约.提出了瞬态时间常数谱峰值谱技术的表征技术,有效并定量获取GaN基器件中存在的陷阱及温升构成,主要包括应用瞬态电流法表征器件的深能级陷阱和利用结构函数法提取器件纵向热阻构成的谱值化技术.结合国内外相关研究工作,对这种分析表征手段进行了相关的归纳和总结.给出高达50 V工作电压下HEMT器件的热阻测量结果,对其纵向热阻构成进行了详细地分析.

关键词：时间常数谱、结构函数法、陷阱效应、热阻构成

所属期刊栏目：1

分类号：TN385(半导体技术)

资助基金：国基金:宽带隙功率微波器件陷阱与缺陷原位表征技术及相关退化机理研究项目10043001201704

在线出版日期：2022-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：88-95