结合高分辨率X射线光电子能谱和拉曼散射研究GexGa8S92–x玻璃结构
本文在固定Ga原子含量为8%的情况下,结合高分辨率X射线光电子能谱和拉曼散射光谱对硫系玻璃GexGa8S92–x(x=24%,26.67%,29.6%,32%和36%)的结构进行了研究.通过分析玻璃结构中各单元结构的演变情况,发现玻璃内部网络结构主要为S原子桥接GeS4和GaS4四面体结构.随着Ge含量的逐渐增大,S链状或环状结构单元迅速减少,并消失于Ge26.67Ga8S65.33玻璃组分中;而类乙烷结构S3Ge-GeS3中的Ge—Ge同极键和S3Ge/Ga-Ga/GeS3结构中的M—M(Ge—Ge,Ga—Ga或Ge—Ga)同极键同时出现于Ge29.6Ga8S62.4玻璃中,并且其结构数量随着Ge含量的增大而逐渐增加.由此可以判定,首先,在硫系玻璃GexGa8S92–x结构中Ge和Ga原子均主要以4配位的形式出现,而S原子则主要以2配位的形式出现.其次,M—M键的存在导致纳米相分离,玻璃网络结构的有序化程度降低.
硫系玻璃、结构、X射线光电子能谱、拉曼散射
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TQ171.1;O657.37;O437
国家自然科学基金;湖南省教育厅青年项目;资助的课题
2023-02-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
238-245