铌掺杂锆钛酸铅铁电薄膜调控CuInS2量子点的阻变性能

摘要：

CuInS2量子点(quantum dots,QDs)具有宽尺寸调节范围(2—20 nm)、丰富的电子俘获位点、高光吸收系数、较高的载流子迁移率和制备工艺简单等优势,可应用于下一代非易失性存储器,但其开关电压(–4.5/4.5 V)和阻变开关比(103)还达不到实际使用要求.本文引入铌掺杂锆钛酸铅(Nb:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PNZT)制备CuInS2 QDs/PNZT复合薄膜,发现PNZT的引入可以明显改善QDs的阻变性能,开关电压降至–4.1/3.4 V,阻变开关比提升至106,在103次的循环耐久性测试中始终保持良好的稳定性.切换PNZT薄膜的铁电极化方向可以改变CuInS2 QDs/PNZT复合薄膜界面势垒高度和耗尽区宽度,以此调控CuInS2 QDs/PNZT复合薄膜的阻变性能.

关键词：CuInS2量子点、Nb:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3、阻变存储器、界面调控

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分类号：TM205.1;TB383;TN304.9

资助基金：湖北省重点研发计划;武汉理工大学三亚科教园开放基金;武汉理工大学三亚科教园开放基金;资助的课题

在线出版日期：2022-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共17页

页码：241-257