795 nm高温高功率垂直腔面发射激光器及原子陀螺仪应用

摘要：

在传统的氧化物约束型的垂直腔面发射半导体激光器中,横向光限制主要取决于氧化层的厚度及其相对于腔内光驻波分布的位置.通过减少外延结构中氧化层与光场驻波分布之间的重叠,可以降低芯层与包层之间的有效折射率差,从而减少腔内可存在的横向模的数量,并增加横模向氧化物孔径之外的扩展.本文利用这一原理设计并制作了一个795 nm的大氧化孔径的垂直腔面发射激光器.器件在80℃下可实现4.1 mW的高功率单基模工作,最高边模抑制比为41.68 dB,最高正交偏振抑制比为27.46 dB.将VCSEL作为抽运源应用于核磁共振陀螺仪系统样机中,实验结果表面新设计的VCSEL可以满足陀螺系统的初步应用需求.

关键词：垂直腔面发射半导体激光器、大氧化孔径、单基模、核磁共振陀螺仪

所属期刊栏目：71

分类号：TN248.4;U666.1;TN911.72

资助基金：国家重点研究发展计划项目;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;吉林省科技发展计划项目;资助的课题

在线出版日期：2022-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：183-190