复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计

摘要：

准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直GaN SBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和器件耐压特性,设计的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD的Baliga优值BFOM达到73.81 MW/cm2.

关键词：GaN肖特基二极管;漏电流;击穿电压;阶梯型场板

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资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;资助的课题

在线出版日期：2022-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：274-282