InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响

摘要：

本文研究InGaN作为AlGaN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlGaN和InGaN势垒层的自发极化与压电极化对AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响,理论分析了不同In摩尔组分下,InGaN厚度与界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射之间的关系.计算结果表明:界面粗糙度散射和随机偶极散射对双异质结AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN的电子输运性质有重要影响,极性光学声子散射对其影响最弱;2DEG浓度、界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射的强弱由InGaN势垒层厚度和In摩尔组分共同决定.

关键词：二维电子气浓度、界面粗糙度散射、随机偶极散射、极性光学声子散射

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资助基金：国家自然科学基金批准号:60976070

在线出版日期：2021-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：260-267