缺陷组合嵌入VO2薄膜结构的可调太赫兹吸收器

摘要：

提出一种多缺陷组合嵌入VO2薄膜结构的可调太赫兹吸收器,它由上表面金属图案层、基体和底层金属板三层结构组成,在上表面和基体之间嵌入二氧化钒介质.计算结果表明在f=4.08 THz和f=4.33 THz两频点吸收率分别为99.8％和99.9％.通过改变外界环境温度可控制二氧化钒相变,从而使两个频点吸收率从99.8％变化到1.0％.改变入射角和偏振态,计算结果表明在入射角0°—40°,吸收器在TE和TM两种极化波下吸收率都能在98％以上.该太赫兹波吸收器具有高吸收、动态调谐、极化不敏感等特性,本文所设计的可调太赫兹吸收器在太赫兹波相关领域,例如探测器、开关、动态调制器、隐身技术等方面具有很好的应用前景.

关键词：太赫兹波、二氧化钒、多缺陷组合、太赫兹吸收器

所属期刊栏目：69

资助基金：国家自然科学基金批准号,61871355,61831012

在线出版日期：2020-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：227-233