超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展

摘要：

β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外—可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga2O3材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga2O3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂的Ga2O3薄膜电导率可达到32.3 S/cm,透过率大于88％,但离商业化的透明导电电极还存在较大差距.在日盲紫外探测器应用方面,基于异质结结构的器件展现出更高的光响应度和更快的响应速度,ZnO/Ga2O3核/壳微米线的探测器综合性能最佳,在-6 V偏压下其对254 nm深紫外光的光响应度达1.3×103 A/W,响应时间为20μs.

关键词：Ga2O3、超宽带隙半导体、日盲探测器、深紫外透明电极

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资助基金：国家自然科学基金61704153,51572241,61774019,51572033;北京市科委SX2018-04资助的课题

在线出版日期：2019-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共36页

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