InAs/GaAs量子点1.3μm单光子发射特性

摘要：

采用双层耦合量子点的分子束外延生长技术生长了InAs/GaAs量子点样品,把量子点的发光波长成功地拓展到1.3μm.采用光刻的工艺制备了直径为3μm的柱状微腔,提高了量子点荧光的提取效率.在低温5K下,测量得到量子点激子的荧光寿命约为1 ns;单量子点荧光二阶关联函数为0.015,显示单量子点荧光具有非常好的单光子特性;利用迈克耳孙干涉装置测量得到单光子的相干时间为22 ps,对应的谱线半高全宽度为30 μeV,且荧光谱线的线型为非均匀展宽的高斯线型.

关键词：InAs/GaAs量子点、1.3 μm、单光子发射

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资助基金：国家自然科学基金11464034;内蒙古自治区自然科学基金2016MS0119资助的课题

在线出版日期：2019-02-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：219-225