金辅助催化方法制备GaAs和GaAs/InGaAs纳米线结构的形貌表征及生长机理研究

摘要：

利用金(Au)辅助催化的方法,通过金属有机化学气相沉积技术制备了GaAs纳米线及GaAs/InGaAs纳米线异质结构.通过对扫描电子显微镜(SEM)测试结果分析,发现温度会改变纳米线的生长机理,进而影响形貌特征.在GaAs纳米线的基础上制备了高质量的纳米线轴、径向异质结构,并对生长机理进行分析.SEM测试显示,GaAs/InGaAs异质结构呈现明显的"柱状"形貌与衬底垂直,InGaAs与GaAs段之间的界面清晰可见.通过X射线能谱对异质结样品进行了线分析,结果表明在GaAs/InGaAs轴向纳米线异质结构样品中,未发现明显的径向生长.从生长机理出发分析了在GaAs/InGaAs径向纳米线结构制备过程中伴随有少许轴向生长的现象.

关键词：金辅助催化、金属有机化学气相沉积、GaAs纳米线、GaAs/InGaAs纳米线异质结构

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资助基金：海南省自然科学基金2018CXTD336,618MS055,618QN241;国家自然科学基金61864002;长春理工大学创新基金000586,000943资助的课题

在线出版日期：2018-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：335-343