低速Xeq+(46 q 620)离子与Ni表面 碰撞中的光辐射

摘要：

实验中测量了0.38VBohr(460 keV)高电荷态Xeq+(46 q 620)离子轰击高纯Ni表面发射的400—510 nm光谱.实验结果包括Ni I原子谱线,Ni II离子谱线,以及入射离子中性化发射的Xe I,Xe II和Xe III谱线.研究了谱线Xe II 410.419,Xe III 430.444,Xe II 434.200,Xe II 486.254,Ni I 498.245,Ni I 501.697,Ni I 503.502,Ni I 505.061和Ni I 508.293 nm的光子产额随着入射离子电荷态的变化.结果表明,入射离子中性化和溅射Ni原子发射谱线的光子产额随着入射离子电荷态的增加而增加,其趋势与入射离子势能一致.

关键词：高电荷态离子、可见光谱、光子产额、势能

所属期刊栏目：67

资助基金：国家自然科学基金联合重点基金U1732269资助的课题

在线出版日期：2018-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：63-71