铟镓锌氧薄膜晶体管的悬浮栅效应研究

摘要：

为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)电学特性的影响,IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时,IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD(technology computer-aided design)分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布,证实了悬浮栅(floating gate,FG)IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法,提出了悬浮栅IGZO TFT电流的一阶模型.TCAD数值分析及一阶物理模型结果与测试具有较高程度的符合,较完整地解释了悬浮栅IGZO TFT的电学特性.

关键词：InGaZnO、悬浮栅、薄膜晶体管、器件模型

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资助基金：国家重点研发计划2017YFA0204600;国家自然科学基金61404002;中南大学中央高校基本科研业务费专项批准号: 2017zzts704资助的课题.Project supported by the National Key Research and Development Program of ChinaGrant 2017YFA0204600;the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61404002;the Fundamental Research Funds for the Central Universities of Central South University, ChinaGrant 2017zzts704

在线出版日期：2018-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：229-236