热-电应力下Cu/Ni/SnAg1.8/Cu倒装铜柱凸点界面行为及失效机理

付志伟1周斌1姚若河1恩云飞2陈思2黄云2

1.华南理工大学; 2.中国电子产品可靠性与环境试验研究所;工业和信息化部电子第五研究所;中国赛宝实验室;

摘要：

微互连铜柱凸点因其密度高、导电性好、噪声小被广泛应用于存储芯片、高性能计算芯片等封装领域,研究铜柱凸点界面行为对明确其失效机理和组织演变规律、提升倒装封装可靠性具有重要意义.采用热电应力实验、在线电学监测、红外热像测试和微观组织分析等方法,研究Cu/Ni/SnAg1.8/Cu微互连倒装铜凸点在温度100—150 ?C、电流密度2×104—3×104A/cm2热电应力下的互连界面行为、寿命分布、失效机理及其影响因素.铜柱凸点在热电应力下的界面行为可分为Cu6Sn5生长和Sn焊料消耗、Cu6Sn5转化成Cu3Sn、空洞形成及裂纹扩展3个阶段,Cu6Sn5转化为Cu3Sn的速率与电流密度正相关.热电应力下,…展开v

关键词：铜柱凸点、界面行为、失效机理、热电应力

所属期刊栏目：67

分类号：TN3;O73

资助基金："十三五"预研项目JAB1728050;广东省自然科学基金2016A030310361, 2015A030310331;广东省科技计划项目批准号:2015B090912002 和电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室基金批准号:614280601041705资助的课题. Project supported by the Chinese Advance Research Program of Science and Technology,ChinaGrant JAB1728050;the Natural Science Foundation of Guangdong Province,ChinaGrant . 2016A030310361,2015A030310331;the Science and Technology Research Project of Guangdong Province, ChinaGrant 2015B090912002;the Foundation of Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, ChinaGrant 614280601041705

在线出版日期：2018-02-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：277-286