表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长 GaN材料的影响

摘要：

基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH3/H2混合气体对石墨烯表面进行预处理,研究了不同NH3/H2比对石墨烯表面形貌、拉曼散射的影响,探讨了石墨烯在NH3和H2混合气氛下的表面预处理机制,最后在石墨烯上外延生长了1.6μm厚的GaN薄膜材料.实验结果表明:石墨烯中褶皱处的C原子更容易与气体发生刻蚀反应,刻蚀方向沿着褶皱进行;适当NH3/H2比的混合气体对石墨烯进行表面预处理可有效改善石墨烯上GaN材料的晶体质量.本研究提供了一种可有效提高GaN晶体质量的石墨烯表面预处理方法,可为进一步研究二维材料上高质量的GaN外延生长提供参考.

关键词：石墨烯、氮化镓、范德瓦耳斯外延、表面预处理

所属期刊栏目：66

分类号：O4 ;TB3

在线出版日期：2018-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：259-265