过渡金属掺杂的扶手椅型氮化硼纳米带的 磁电子学特性及力-磁耦合效应

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了多种过渡金属(TM)掺杂扶手椅型氮化硼纳米带(ABNNR-TM)的结构特点、磁电子特性及力-磁耦合效应.计算的结合能及分子动力学模拟表明ABNNR-TM的几何结构是较稳定的,同时发现对于不同的TM掺杂,ABNNRs能表现出丰富的磁电子学特性,可以是双极化磁性半导体、一般磁性半导体、无磁半导体或无磁金属.双极化磁性半导体是一种重要的稀磁半导体材料,它在巨磁阻器件和自旋整流器件上有重要的应用.此外,力-磁偶合效应研究表明:ABNNR-TM的磁电子学特性对应力作用十分敏感,能实现无磁金属、无磁半导体、磁金属、磁半导体、双极化磁性半导体、半金属等之间的相变.特别是呈现的宽带隙半金属对于发展自旋电子器件有重要意义.这些结果表明:可以通过力学方法来调控ABNNR-TM的磁电子学特性.

关键词：氮化硼纳米带、过渡金属修饰、磁电子学特性、力-磁耦合效应

所属期刊栏目：66

分类号：TM9;O64

资助基金：国家自然科学基金61771076, 61371065, 11674039;湖南省自然科学基金批准 号: 14JJ2076, 2015JJ3002, 2015JJ2009, 2015JJ2013 资助的课题. Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant . 61771076, 61371065, 11674039;the Hunan Provincial Natural Science Foundation of ChinaGrant . 14JJ2076, 2015JJ3002, 2015JJ2009, 2015JJ2013

在线出版日期：2017-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：317-327